電子半導體產線工藝廢氣治理

1、PECVD工藝廢(fei)氣

PECVD設備尾(wei)氣主要包含硅(gui)烷(wan)SiH4及氨氣NH3等。

處理工(gong)藝:不銹鋼(gang)燃燒筒→不銹鋼(gang)硅烷燃燒洗滌塔(ta)-氨(an)氣洗滌塔(ta)+離心風機

主要特點(dian):硅(gui)烷(wan)去(qu)除率(lv)高(gao),氨(an)氣及其他水溶性氣體凈化率(lv)高(gao)，占地面(mian)積小，耐腐蝕，便于維修(xiu)。

2.絲網印刷工藝廢氣

絲(si)網(wang)印刷廢氣工藝主要(yao)涉及的主要(yao)設(she)備印刷機和(he)燒結爐，產(chan)生的廢氣主要(yao)是一些以脂類和(he)醇(chun)類廢氣為(wei)主的有機廢氣及熱廢氣。

處理工藝：采用活性炭纖維吸附塔。

主(zhu)要(yao)特點：設備(bei)占地面(mian)積小，耐腐蝕，便于維修，無二(er)次污染，凈(jing)化效率較活性炭顆(ke)粒較高。

設(she)備主要(yao)特(te)點：洗滌塔(ta)采用酸(suan)/堿(jian)洗滌、水(shui)洗一體塔(ta)+活性炭吸(xi)附進行廢(fei)氣凈化處理，自動化控(kong)制，達(da)標(biao)排放，占地面積少(shao)、控(kong)制操作(zuo)簡單方(fang)便，處理效果佳、維護成(cheng)本(ben)低。

干化(hua)等(deng)工藝產生的臭氣采用酸堿洗(xi)滌吸收、生物除臭、光(guang)催化(hua)氧化(hua)、活(huo)性炭吸附等(deng)工藝處理(li)，達(da)標排放(fang)。

太陽能電(dian)池(chi)片(pian)工藝廢氣治理(li)

1、制絨工藝廢氣

在(zai)制(zhi)(zhi)絨(rong)工(gong)藝過程中(zhong)，廢(fei)氣源(yuan)主(zhu)要為制(zhi)(zhi)絨(rong)機(ji),廢(fei)氣種類因工(gong)藝不同而有區別，一般主(zhu)要廢(fei)氣為:制(zhi)(zhi)絨(rong)氫氧化(hua)鈉(na)NaOH、KOH廢(fei)氣比較多一點(dian) ,多晶制(zhi)(zhi)絨(rong)氮氧化(hua)物NOX比較多一點(dian)，還(huan)有少量HF等廢(fei)氣。

處理工藝:

氮(dan)氧(yang)化(hua)(hua)物(wu)濃(nong)度(du)(du)較高的(de)采(cai)用四(si)級串(chuan)聯(lian)高濃(nong)度(du)(du)酸霧凈(jing)化(hua)(hua)塔,添加氫(qing)氧(yang)化(hua)(hua)鈉、硫化(hua)(hua)鈉進行洗(xi)滌處(chu)理(li);氮(dan)氧(yang)化(hua)(hua)物(wu)濃(nong)度(du)(du)較低(di)的(de)采(cai)用兩級串(chuan)聯(lian)酸霧凈(jing)化(hua)(hua)塔,添加氫(qing)氧(yang)化(hua)(hua)鈉進行洗(xi)滌處(chu)理(li)。

主要特點:

凈化效率高,結構緊(jin)湊(cou)，耐(nai)腐蝕，耐(nai)老化性(xing)能好,自動化控制，操作(zuo)簡單 ,廣泛應用(yong)于太陽能、電子(zi)半導體等行業。

2、擴(kuo)散工(gong)藝廢氣、去磷硅玻璃、刻蝕工(gong)藝廢氣

擴散工藝(yi)涉(she)及(ji)的(de)設備主要是(shi):擴散爐，其中酸(suan)性廢氣(qi)為(wei)鹽酸(suan)霧HCl及(ji)少量氯氣(qi)Cl2。去磷(lin)硅玻璃、刻蝕(shi)工藝(yi)涉(she)及(ji)的(de)主要設備為(wei)刻蝕(shi)機、硅片(pian)清洗機等(deng)，產生主要酸(suan)性廢氣(qi)為(wei)HF、CF4、SiF4等(deng)，采用酸(suan)霧凈化(hua)塔，添(tian)加(jia)氫氧化(hua)鈉進行洗滌處理(li)。

主要特點:

凈化效率高，結構(gou)緊湊，耐(nai)腐蝕 ,耐(nai)老化性能好，廣泛應用于(yu)太陽能、電子半導(dao)體(ti)等行(xing)業。