處(chu)理(li)工藝:氮(dan)氧(yang)(yang)化(hua)物濃度(du)較高的(de)采用四級(ji)串(chuan)聯高濃度(du)酸霧(wu)凈化(hua)塔(ta)，添加氫(qing)氧(yang)(yang)化(hua)鈉(na)、硫化(hua)鈉(na)進行(xing)洗滌(di)處(chu)理(li);氮(dan)氧(yang)(yang)化(hua)物濃度(du)較低(di)的(de)采用兩級(ji)串(chuan)聯酸霧(wu)凈化(hua)塔(ta)，添加氫(qing)氧(yang)(yang)化(hua)鈉(na)進行(xing)洗滌(di)處(chu)理(li)。

主(zhu)要特(te)點:凈化(hua)效(xiao)率高，結(jie)構緊湊(cou)，耐(nai)腐蝕，耐(nai)老化(hua)性能(neng)好,自動(dong)化(hua)控制(zhi)，操作簡單，廣泛應用于太陽能(neng)、電(dian)子半導體等行(xing)業。

PECVD設(she)備尾(wei)氣主要包含硅烷(wan)SiH及(ji)氨氣NH等。

處理工藝:不銹鋼燃燒筒一不銹鋼硅烷燃燒洗滌塔氨氣(qi)洗滌塔+離心(xin)風機(ji)

主要特點(dian):硅烷(wan)去(qu)除率高， 氨(an)氣及(ji)其他水溶性氣體凈化率高，占地面積小，耐(nai)腐蝕，便于維修。